EKC溶液清洗工艺是一种在半导体制造过程中用于去除晶圆表面残留物和污染物的重要步骤。以下是对EKC溶液清洗工艺的详细介绍：
预处理：在进行EKC溶液清洗之前，通常需要对晶圆进行预处理，包括酸洗、去离子水冲洗等步骤，以去除表面的大颗粒杂质和初步的污染物。
酸洗：酸洗是使用酸性溶液（如硫酸、硝酸等）对晶圆表面进行腐蚀，以去除氧化层和部分金属杂质。酸洗时间和温度根据具体情况而定，一般在室温下进行数分钟至十几分钟不等。
EKC溶液清洗：将经过预处理的晶圆放入盛有EKC溶液的清洗槽中，在一定温度和时间条件下进行清洗。EKC溶液的主要成分包括羟胺（如羟胺、氢氧化钾、氢氧化钠等）、有机酸（如柠檬酸、草酸等）、表面活性剂（如聚醚硅油）以及去离子水。这些成分共同作用，能够有效去除晶圆表面的聚合物、金属离子和其他有机污染物。清洗时间一般为20至30分钟，温度控制在90°C左右。
去离子水冲洗：清洗完成后，使用去离子水对晶圆进行彻底冲洗，以去除残留的EKC溶液和松动的污染物。去离子水的纯度要求很高，以避免引入新的杂质。
干燥：将冲洗后的晶圆进行干燥处理，通常采用旋转甩干或氮气吹干的方式。干燥时间一般为5分钟左右，以确保晶圆表面完全干燥。
后处理：根据需要，可能还需要进行进一步的后处理步骤，如抛光、检测等，以确保晶圆表面的清洁度和平整度满足后续工艺的要求。